samsung躍進! 世界最小「10nm FinFET S-RAM」を2017年量産へ 

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韓国samsung、「10nm FinFET」プロセスで製造された「S-RAM」の開発に成功したことを発表しました。

現在、米インテルや台湾TSMCはそれぞれ「14nm FinFET」と「16nm FinFET」プロセスを用いてS-RAMを製造しているため、今回の発表によりサムスンは半導体製造業における強力なライバル2社に大きな差をつけた形となった!

Samsungよると、大量生産は来年上半期にも開始される予定であるほか、この新型S-RAMの詳細については、2016年1月31日~2月4日にかけて「ISSCC 2016」において発表する予定としています。

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また「平面構造」を採用する「14nm FinFET」プロセスベースの「NANDフラッシュメモリ」の開発にも成功しました。

これは世界で最も微細化された世界最小平面型NANDフラッシュメモリとなりますが、一方で既に東芝や米サンディスクなどは「3D構造」を採用するNANDフラッシュメモリの開発に力を注ぐことを発表しています。

S平面型NANDとS-RAMという分野において、業界最先端の技術を取得することとなったSamsung。今回の発表がライバル企業に与えたインパクトは計り知れません。インテルやTSMCなどの動向を含め、業界全体がどのように動くかは非常に興味深いところです。

またこの成果によって最近低迷しているスマホ販売台数の回復に繋がるのか、この技術を活用した端末の発表が待ち遠しいです。因みに2016年は折りたたみ式・スクリーン式端末の発売はそのキッカケになるような気がします。

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