XperiaZ7で搭載か?「スナドラ830」情報入手

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「Snapdragon 830」10nm FinFETプロセスで製造か

まだスナドラ820搭載携帯すら存在していない状況においてこの話題事体、時期尚早の感はあるが今ある情報をお伝えします。そもそも「スナドラ810」の発熱問題が無ければ各メーカーこの秋モデルには「スナドラ820」を標準搭載させていただけに、ある意味「スナドラ830」の話題もあっておかしくない気もするが、スナドラ820の改良をまだ加えている情報もあるだけに「スナドラ830」に手が回らないのではないかと推測する。ですが今回の情報は詳細なスペックというよりは製造元と大きさの情報だけがリークされた形です。中国Weiboによると「スナドラ830」は台湾のTSMC社単独で製造され、その大きさは「10nm FinFETプロセス」になるというもの「14nm FinFETプロセス」のスナドラ820からすると一層微細化された次世代プロセスが採用される形になるようです。そしてスナドラ820はサムスンであったのに、スナドラ830はTSMC社の製造に変わるのは A9チップゲート問題が背景にあるのかも気になるところであります。この順序で行けば「XperiaZ7」「galaxyS8」での搭載が見込めます。そのためにも次期スナドラ820に何の問題も起きないことを願うばかりです。

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